重慶芯片導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試（Test）

2.半導(dǎo)體測試（工藝方面）：WaferTest/PackageTest/ModuleTest

包裝測試(Package Test)也包括可靠性測試，但它被稱為終測試是因為它是在產(chǎn)品出廠前對電氣特性進(jìn)行的終測試（Final Test)。包裝測試是重要的測試過程，包括所有測試項目。首先在DC/AC測試和功能（Function）測試中判定良品（Go）/次品（No-Go）后，在良品中按速度劃分組別的Speed Sorting（ex.DRAM)模組測試（Module Test）是指在PCB上安裝8-16個芯片后進(jìn)行的，因此也稱為上板測試（Board Test）。Module Test在DC/Function測試后進(jìn)行現(xiàn)場測試，以確?？蛻裟軌蛟趯嶋H產(chǎn)品使用環(huán)境中篩選芯片。如果在這個過程中發(fā)現(xiàn)了不良的芯片，就可以換成良品芯片重新組成模塊。DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）。重慶芯片導(dǎo)電膠

「半導(dǎo)體工程」半導(dǎo)體？這點應(yīng)該知道：（8）Wafer測試&打包工程

芯片封裝過程

1)背面磨削（BackGrind）

FAB（晶圓代工廠/Foundry）制作的厚晶片背面，用鉆石輪研磨成所需厚度的薄晶片，使其成為薄半導(dǎo)體的過程。

2)晶片切割（WaferSaw）

把由多個芯片組成的晶片分離成單個芯片。

3)芯片貼裝（DieAttach）

芯片貼裝，也稱芯片粘貼，從晶片上取下分離的良品單個芯片，并將其粘合到封裝基板上。

4)打線結(jié)合（WireBond）

將芯片焊接區(qū)電子封裝外殼基板進(jìn)行電氣連接。

5)塑封（Mold）

用熱硬化性樹脂EMC包裹基板，防止潮濕、熱量、物理沖擊等。

6)Marking

用激光刻印產(chǎn)制造商信息，國家，器件代碼等。

7)置球（SolderBallMount）

通過基板下表面安裝錫球(SolderBall)，實現(xiàn)PCB和Package的電氣連接，

8)SawSingulation

使用封裝切割用的鉆石輪將基板分離單獨的產(chǎn)品。惠州芯片測試導(dǎo)電膠#導(dǎo)電膠# #DDR導(dǎo)電膠# #測試導(dǎo)電膠# #LPDDR顆粒測試# #254BGA#。

「半導(dǎo)體專題講座」芯片測試（Test）

3.半導(dǎo)體測試（功能方面）：直流參數(shù)測試（DCTest）/AC參數(shù)測試（ACTest）/功能測試（FunctionTest）

3-2.FunctionTest/ACTest

AC參數(shù)測試主要是測試一些交流特性參數(shù),如傳輸時間設(shè)置時間和保持時間等交流參數(shù)測試實際上是通過改變一系列時間設(shè)定值的功能測試。將處在Pass/Fail臨界點的時間作為確定的測試結(jié)果時間交流參數(shù)測試所需的硬件環(huán)境與動態(tài)功能測試用到的硬件環(huán)境相同。通過這種方式像DRAM測試時，把良品芯片按照速度和延來區(qū)分裝入的桶（Bin），并進(jìn)行分離的（Bin-Sorting）。BIN是指按SPPED對產(chǎn)品進(jìn)行分類，并在TEST程序中對具有類似不良類型的FAIL（不良）產(chǎn)品進(jìn)行分類，以便快速、方便地進(jìn)行分析。

PCR Rubber Socket「PCR導(dǎo)電膠」

Rubber SockeＰＣＲ的主要特點：

>具有良好的壓力敏感性。

>靈活接觸，具有良好的接觸面跟隨性。

>不會對接觸面造成傷害。

>由于不是用點而是用面接觸，所以耐位置偏移。直流電流、交流電流都能發(fā)揮優(yōu)異的性能。

>電感低，高頻特性優(yōu)良。

PCR Rubber Socket

GF socket 插座

tera jc pin

return loss、Insertion loss

Coaxial rubber socket

在需要低電感、低電阻及低接觸特性的高頻檢查中發(fā)揮優(yōu)異的性能。

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Non-Coaxial RubberDDR存儲器的優(yōu)點就是能夠同時在時鐘循環(huán)的上升和下降沿提取數(shù)據(jù)，從而把給定時鐘頻率的數(shù)據(jù)速率提高1倍。

關(guān)于半導(dǎo)體工藝這點你要知道(3)光刻技術(shù)(Photo Lithography)工藝

3. 光刻工藝流程光刻工藝過程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。

1) 曝光Exposure

曝光工藝?yán)镉蠱ask Layer之間對準(zhǔn)精確位置的對準(zhǔn)（Alignment）過程和即通過向感光膜發(fā)射光線來形成圖案的Exposure過程。經(jīng)過這個過程圖形就形成，根據(jù)需要曝光可以在三種模式下進(jìn)行。

2) 顯影Develop

顯影（Develop）與膠片照相機沖洗照片的過程相同，此過程將確定圖案的外觀。經(jīng)過顯影過程后，曝光后會有選擇地（Positive,Negative PR）去除暴露在光下的部分，未暴露的部分，從而形成電路圖案。以上就是給大家介紹的在晶片上印半導(dǎo)體電路的光刻工藝。好像有很多混淆的地方。大家都了解了嗎？，8大工程完成3個工程；剩下的5道工序。革恩半導(dǎo)體導(dǎo)電膠測試座： 結(jié)構(gòu)簡單材料損耗少 極高生產(chǎn)效率，可適應(yīng)大規(guī)模生產(chǎn)。蘇州導(dǎo)電膠有哪些

基于MTK平臺開發(fā)LPDDR、EMMC、UFS測試儀器，并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行因件及軟件調(diào)試。重慶芯片導(dǎo)電膠

關(guān)于半導(dǎo)體工藝，這點你要知道：（2）氧化（Oxidation）工藝

3、除此之外，影響氧化膜生長速度的半導(dǎo)體尺寸越來越小，而氧化膜作為保護(hù)膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是決定半導(dǎo)體尺寸的重要因素。因此，為了減小氧化膜的厚度，需要協(xié)調(diào)氧化過程中的各種變量。我們在第2節(jié)中討論過的濕法氧化，干法氧化也是其中變量的一種種類，除此之外，晶片的晶體結(jié)構(gòu)，Dummy Wafer（為了減少正面接觸氣體或稍后接觸氣體部分的氧化程度差異，可以利用Dummy Wafer作為晶片來調(diào)整氣體的均勻度）、摻雜濃度、表面缺陷、壓力、溫度和時間等因素都可能影響氧化膜的厚度。

和我一起來了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及這些氧化膜的形成速度受哪些東西的影響。半導(dǎo)體八大工序中的兩個工序已經(jīng)完成；下節(jié)我們將討論在半導(dǎo)體上制作電路圖案的蝕刻工藝。重慶芯片導(dǎo)電膠

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